Transistors de puissance CoolMOS P7 600 V

Les transistors de puissance CoolMOS P7 600 V Infineon sont des dispositifs de 7e génération utilisant une technologie révolutionnaire pour des MOSFET de puissance à haute tension. Les transistors sont conçus selon le principe de super-jonction (SJ) mis au point par Infineon Technologies. Le CoolMOS P7 600 V combine les avantages d'un MOSFET SJ à commutation rapide avec une excellente facilité d'utilisation. Le P7 600 V dispose d'une très faible tendance au sifflement, d'une robustesse exceptionnelle de diode face à une commutation directe et d'une excellente capacité ESD. Les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, compactes et fraîches.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
217En stock
24016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
130En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
174En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
42.720Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
2.947Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
5.500Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
90602/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1.60114/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
1.00002/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
22703/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube