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M1P45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1P45M12W2-1LA
Price: 54.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-M1P45M12W2-1LA

N° de fab. :

M1P45M12W2-1LA

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Modules MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

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Fiche technique:

M1P45M12W2-1LA Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Package/Boîte:	ACEPACK DMT-32
Nombre de canaux:	6 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	60.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Hauteur:	5.9 mm
Longueur:	44.5 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Qualification:	AQG-324
Nombre de pièces de l'usine:	11
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Power Module
Largeur:	27.9 mm

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Module de puissance M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT® 32

Le Module de puissance M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32 de STMicroelectronics réalise une topologie à six-packs avec NTC intégré et adapté à l’étage du convertisseur CC-CC de l’OBC. Ce module de puissance est utilisé dans le chargeur embarqué (OBC). Le module de puissance M1P45M12W2-1LA garantit l’équilibre optimal entre les pertes d’énergie et le mode de fonctionnement à haute fréquence de commutation. Ce module de puissance crée des topologies complexes avec des densités de puissance très élevées et des exigences de haut rendement. Ce module de puissance homologué AQG 324. Le module de puissance M1P45M12W2-1LA dispose de six MOSFET de puissance au carbure de silicium de 2^ème génération.