Module SiC NXH010P120MNF1

Le Module SIC NXH010P120MNF1 d’onsemi  contient un demi-pont MOSFET SIC 10 Mohm 1200 V et une thermistance NTC dans un module F1. Le module dispose d’une tension de grille recommandée de 18-20V. Le NXH010P120MNF1 dispose d'une RDS (on) améliorée à une tension plus élevée et d'une faible résistance thermique.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Série Conditionnement

onsemi Modules MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED) 23En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Modules MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM) 1.148Stock usine disponible
Min. : 28
Mult. : 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Modules MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM 56Stock usine disponible
Min. : 1
Mult. : 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi Modules MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM 168Stock usine disponible
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray