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QPD1013SR

Name: Qorvo QPD1013SR
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013SR
Price: 194.69 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-QPD1013SR

N° de fab. :

QPD1013SR

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

Fiche technique:

QPD1013SR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Id - Courant continu de fuite:	1.7 A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	67 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single Triple Drain
Kit de développement:	QPD1013EVB01
Gain:	21.8 dB
Tension drain-porte max.:	65 V
Fréquence de fonctionnement max.:	2.7 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.2 GHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	178 W
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1013
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	QPD1013
Poids de l''unité:	7,792 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8517620000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

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