Diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ

Les diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ de ROHM Semiconductor sont des diodes de type double à cathode commune dotées d'une faible tension directe et d'une faible perte de commutation. Ces diodes de récupération comprennent une construction planaire épitaxiale en silicium. Les diodes de récupération RFxDNZ sont stockées sur une plage de température de -55 °C à + 150°C. Ces diodes à récupération rapide fonctionnent à une température de jonction de 150 °C et un courant inverse de 10 μA. Les diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ sont idéales pour une utilisation dans le redressement général.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Vr - Tension inverse If - Courant direct Type Configuration Vf - Tension directe Courant de surtension max. Ir - Courant inverse Délai de reprise Température de fonctionnement max. Conditionnement
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode 5.721En stock
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Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode 1.015En stock
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Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode 1.092En stock
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Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode 976En stock
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Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
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Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube