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Diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ
Les diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ de ROHM Semiconductor sont des diodes de type double à cathode commune dotées d'une faible tension directe et d'une faible perte de commutation. Ces diodes de récupération comprennent une construction planaire épitaxiale en silicium. Les diodes de récupération RFxDNZ sont stockées sur une plage de température de -55 °C à + 150°C. Ces diodes à récupération rapide fonctionnent à une température de jonction de 150 °C et un courant inverse de 10 μA. Les diodes à récupération ultra-rapide RFxDNZ sont idéales pour une utilisation dans le redressement général.