MOSFET de puissance SuperFET® II

Les MOSFET de puissance SuperFET® II de Fairchild sont une nouvelle génération propriétaire de MOSFET à haute tension qui utilisent un mécanisme de répartition de la charge de pointe pour des performances exceptionnelles de faible résistance en marche et moindre charge de grille. Cette technologie de pointe est adaptée pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et soutenir des rapports dv/dt extrêmes et une énergie supérieure en avalanche. Ces MOSFET SuperFET® II conviennent à la conversion d'alimentation CA/CC en régime de commutation pour miniaturiser les systèmes et augmenter le rendement.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

onsemi MOSFET 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Fiche technique
486En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 136 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
Fiche technique
217En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 299 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
Fiche technique
79817/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube