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MCP2D6N10Y-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCP2D6N10Y-BP
Price: 3.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

833-MCP2D6N10Y-BP

N° de fab. :

MCP2D6N10Y-BP

Fab. :

Micro Commercial Components (MCC)

Description :

MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MCP2D6N10Y-BP Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,81 €	3,81 €
	2,55 €	25,50 €
	1,96 €	196,00 €
	1,74 €	870,00 €
	1,54 €	1.540,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Micro Commercial Components (MCC)
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	240 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.8 V
Qg - Charge de grille:	257 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	208 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Bulk
Marque:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuration:	Single
Temps de descente:	52 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	158 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	98 ns
Délai d'activation standard:	51 ns

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Fiche technique

MCP2D6N10Y-BP Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N MCP2D6N10Y de 100 V

Micro Commercial Components (MCC) Le MOSFET MCP2D6N10Y 100 V à canal N est conçu pour la commutation à haute puissance. Le MCC MCP2D6N10Y utilise une technologie avancée de tranchée à grille divisée (SGT) et une faible résistance en marche de 2,6 mΩ. Le dispositif réduit considérablement les pertes de conduction tout en améliorant l’efficacité thermique. Avec une résistance thermique jonction-boîtier ultra-faible de 0,6 K/W, ce MOSFET augmente le rendement dans les composants électroniques de puissance exigeants. Son boîtier TO-220 améliore les performances avec une capacité de surtension élevée. Le MCP2D6N10Y associe une solide gestion du courant, une excellente dissipation de chaleur et un rendement optimal, ce qui le rend idéal pour les applications à haute puissance comme les systèmes de gestion de batterie, les entraînements à moteurs et les convertisseurs CC-CC.