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SIRS5700DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRS5700DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIRS5700DP-T1-RE3
Price: 4.05 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIRS5700DP-T1-RE3

N° de fab. :

SIRS5700DP-T1-RE3

Fab. :

Vishay

Description :

MOSFET N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

Fiche technique:

SIRS5700DP-T1-RE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,05 €	4,05 €
	2,68 €	26,80 €
	2,05 €	205,00 €
	1,78 €	890,00 €
	1,73 €	1.730,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,51 €	4.530,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	144 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	73 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	278 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay
Configuration:	Single
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	122 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Série:	SiRS5700DP
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	20 ns

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Fiche technique

SIRS5700DP-T1-RE3 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP

Le MOSFET de puissance SiRS5700DP à canal N 150 V (D-S) de Vishay est un MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V avec un facteur de mérite (FOM) R_DS x Q_g très faible. Le SiRS5700DP de Vishay optimise le rendement énergétique, et le R_DS(on) du composant minimise la perte de puissance pendant la conduction, assurant un fonctionnement efficace. Ce MOSFET subit les tests 100 % R_g et UIS, garantissant ainsi sa fiabilité. Le dispositif améliore également la dissipation de puissance et réduit la résistance thermique (R_thJC), ce qui en fait un choix idéal pour les applications à haute performance.