Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Types de Semiconducteurs discrets

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Type de produit Technologie Style de montage Package/Boîte
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
1.197Sur commande
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Modules MOSFET 300A SiC Power Module 3En stock
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC AECQ
44227/05/2026 attendu
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
45023/07/2026 attendu
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Mult. : 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Modules à semi-conducteurs discrets Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
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Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Modules à semi-conducteurs discrets SIC Pwr Module Chopper Délai de livraison 27 Semaines
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Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Modules MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 4
Mult. : 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC DIODE: 8A 600V Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
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Bobine: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
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Mult. : 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2