MOSFET automobiles à canal N + canal N QS6Kx

Les MOSFET automobiles à canal N + canal N QS6Kx de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant qui sont fournis avec une diode de protection G-S intégrée. Ces MOSFET sont homologués AEC-Q101 et disposent d’un courant de drain continu (ID) de ±1 A. Les MOSFET QS6Kx sont disponibles en petit boîtier à montage en surface (TSMT6). Les MOSFET QS6Kx de ROHM Semiconductor sont adaptés aux applications de commutation de puissance.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET 0.26Rds(on) 1.7Qg 684En stock
3.00017/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 N-Channel, NPN 2 Channel 30 V 1 A 238 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET 0.415Rds(on) 1.5Qg 422En stock
3.00003/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 N-Channel, NPN 2 Channel 45 V 1 A 420 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel