MOSFET à tranchée et canal N BSS138AK

Les MOSFET à tranchée et canal N BSS138AK de Nexperia Canal N sont des transistors à effet de champ (FET) en mode enrichissement dans de petits boîtiers monté en surface. Ces dispositifs utilisent la technologie de MOSFET à tranchée et sont compatibles au niveau logique. Les MOSFET qualifiés AEC-Q101 BSS138AK sont idéaux pour les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit, les commutateurs de charge côté bas et les applications de circuit de commutation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement

Nexperia MOSFET SOT363 2NCH 60V .22A
Fiche technique
21.663En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A
Fiche technique
28.891En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .25A
Fiche technique
33.00002/04/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape