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STGWA75H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA75H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA75H65DFB2
Price: 1.88 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGWA75H65DFB2

N° de fab. :

STGWA75H65DFB2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	115 A
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,100 g

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STGWA75H65DFB2 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT HB2 STGWA75H65DFB2

L'IGBT HB2 STGWA75H65DFB2 de STMicroelectronics est une évolution de la structure d'arrêt de champ de grille en tranchée propriétaire avancée. La série HB2 optimise la conduction avec V_CE(sat) haut de gamme à de faibles valeurs de courant et une énergie de commutation réduite. L'IGBT STGWA75H65DFB2 HB2 dispose d'un faible V_CE(sat) de 1,55 V (std) à un I_C de 75 A.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.