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NVMYS9D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS9D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS9D3N06CLTWG
Price: 1.36 EUR
Availability: Discontinued

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N° Mouser :

863-NVMYS9D3N06CLTWG

N° de fab. :

NVMYS9D3N06CLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 60V LL LFPAK

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVMYS9D3N06CLTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,36 €	1,36 €
	0,858 €	8,58 €
	0,573 €	57,30 €
	0,452 €	226,00 €
	0,411 €	411,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,373 €	1.119,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	9.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	46 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	37 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	NVMYS9D3N06CL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	6 ns

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Fiche technique

NVMYS9D3N06CLTWG Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NVMYS9D3N06CL

Le MOSFET de puissance NVMYS9D3N06CL d'onsemi est un MOSFET monocanal N 60 V, 9,2 mΩ et 50 A construit avec une conception compacte et efficace pour de hautes performances thermiques. Ce MOSFET dispose d’une faible R_{DS (ON)} pour minimiser les pertes de conduction, d’une charge de grille (Q_G) et d’une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote. Le MOSFET de puissance NVMYS9D3N06CL est homologué AEC-Q101 et est compatible PPAP. Ce MOSFET est adapté à la protection inverse de la batterie, aux commutateurs d’alimentation, aux alimentations à commutation et à d’autres applications automobiles nécessitant une fiabilité améliorée au niveau de la carte.

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