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RGT20NL65GTL

Name: ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGT20NL65GTL
Price: 2.58 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RGT20NL65GTL

N° de fab. :

RGT20NL65GTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

RGT20NL65GTL Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,58 €	2,58 €
	1,68 €	16,80 €
	1,16 €	116,00 €
	0,963 €	481,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,86 €	860,00 €
2.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-263-3
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.1 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	20 A
Pd - Dissipation d’énergie :	53 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	RGT20NL65

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Fiche technique

RGT20NL65GTL Fiche technique (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT à arrêt de champ et tranchée RGT20NL65

L'IGBT à arrêt de champ et tranchée RGT20NL65 de ROHM Semiconductor dispose d'une faible tension de saturation collecteur-émetteur, idéal pour les applications générales de convertisseurs, d'UPS, de conditionneur de puissance et de soudage. L'IGBT à arrêt de champ et tranchée RGT20NL65 de ROHM offre un temps de tenue aux courts-circuits de 5 μs. De plus, le composant est spécifié pour une tension grille - émetteur de ±30 V et un courant collecteur de 20 A à 25 °C.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.