Amplificateurs à faible bruit 4G/5G

Les amplificateurs à faible bruit 4G/5G d'Infineon Technologies sont conçus pour le LTE et la 5G, couvrant une large gamme de fréquences. L'étape de gain des amplificateurs à faible bruit 4G/5G présente le gain et la linéarité qui peuvent s'ajuster pour augmenter la plage dynamique du système et s'adapter aux évolutions des scénarios d'interférence.

Résultats: 5
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement Tension d'alimentation de fonctionnement Courant d'alimentation de fonctionnement Gain NF : facteur de bruit Type Style de montage Package/Boîte Technologie P1dB - Point de compression OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Amplificateur RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ 11.542En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 15.000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificateur RF 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G 4.500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificateur RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ 7.445En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 12.000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificateur RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 12.000
Mult. : 12.000
Bobine: 12.000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies Amplificateur RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 12.000
Mult. : 12.000
Bobine: 12.000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel