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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Package/Boîte Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 12En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT IGBT Module 1400A 1700V 4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT PP IHM I 112En stock
9011/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module 5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies Modules IGBT IGBT Module 450A 1700V 1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
2028/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Non
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 10 A PIM IGBT module Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray