CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
358En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Fiche technique
412En stock
1.00005/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
490En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
59En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
25En stock
50024/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
178En stock
24016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
298En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Fiche technique
215En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
152En stock
1.70023/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
73En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
15En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
38En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
358En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
277En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
4.00027/08/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
2.99918/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
2.99020/08/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 750
Mult. : 750
Bobine: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1.700
Mult. : 1.700
Bobine: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 750
Mult. : 750
Bobine: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 750
Mult. : 750
Bobine: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
Délai de livraison 19 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel