Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
IXYS MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3