MOSFET de puissance REXFET-1 100 V et 150 V

Les MOSFET de puissance 100 V et 150 V REXFET-1 de Renesas Electronics mettent en œuvre la technologie à grille divisée, qui réduit considérablement la résistance à l'état passant (RDSON) et la figure de mérite, ce qui est idéal pour les applications à courant élevé. Les dispositifs sont disponibles dans des boîtiers TOLL (TO sans fil), TOLG (TO à fil papillon) et TOLT (TO à côté haut refroidi) pour des performances thermiques exceptionnelles et une capacité de puissance maximale. De plus, les MOSFET disposent d'un emballage à flanc mouillable pour une excellente performance des joints de brasure. Les MOSFET REXFET-1 sont homologués AEC-Q100 avec prise en charge PHPP pour les applications automobiles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1.300
Mult. : 1.300
Bobine: 1.300

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 5.000
Mult. : 5.000
Bobine: 5.000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1.300
Mult. : 1.300
Bobine: 1.300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 5.000
Mult. : 5.000
Bobine: 5.000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel