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BGSX22G5A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGSX22G5A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGSX22G5A10E6327
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-BGSX22G5A10E6327

N° de fab. :

BGSX22G5A10E6327XTSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

CI commutateurs RF ANTENNA DEVICES

Fiche technique:

BGSX22G5A10E6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,38 €	1,38 €
	0,839 €	8,39 €
	0,705 €	17,63 €
	0,535 €	53,50 €
	0,463 €	115,75 €
	0,406 €	203,00 €
	0,365 €	365,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4500)
	0,312 €	1.404,00 €
	0,271 €	2.439,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	CI commutateurs RF
RoHS:
Configuration de l'interrupteur:	DPDT
Fréquence min.:	100 MHz
Fréquence max.:	6 GHz
Perte d'insertion:	1.1 dB
Isolation à l'état bloqué standard:	31 dB
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	ATSLP-10
Technologie:	Si
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Nombre d'interrupteurs:	Dual
Courant d'alimentation de fonctionnement:	55 uA
Type de produit:	RF Switch ICs
Nombre de pièces de l'usine:	4500
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Tension d’alimentation - Max.:	3.4 V
Tension d’alimentation - Min.:	1.65 V
Raccourcis pour l'article N°:	BGSX 22G5A10 E6327 SP001777960
Poids de l''unité:	2,480 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: 5A991.g

Antenna Centric Devices

Infineon Technologies Antenna Centric Devices significantly improve data rate for mobile cellular devices while minimizing power consumption. Modern 3G/4G smartphones need to cover a wide frequency range, while the multiband antennas need to be minimized in dimensions. Infineon antenna centric devices optimize antenna performance in the required frequency bands to improve reception of weak signals and radiate efficiency. This indirectly lowers current consumption from power amplifiers. Antenna-centric devices are designed to address various tuning concepts, supporting a large variation of antenna impedance with very low RON values and high voltage handling capabilities. Infineon antenna-centric devices are available with both GPIO (General Purpose Input/ Output) and the standardized MIPI RFFE (Mobile Industry Processor Interface for RF Front-End) interface.

Commutateurs de croisement d’antenne

Les commutateurs de croisement d’antenne Infineon Technologies sont conçus pour les applications SRS 5 G avancées, offrant des performances exceptionnelles avec une linéarité élevée jusqu’à la puissance d’entrée de 39 dBm. Les commutateurs permettent la commutation entre les antennes afin de sélectionner l’antenne la plus performante pour optimiser la puissance de transmission pour un Up-Link (UL) ou d’améliorer la sensibilité de réception amélioré pour un Down-Link (DL). Les commutateurs de croisement d’antenne se caractérisent par une faible consommation de courant, ce qui rend les composants efficaces pour les conceptions sensibles à l’énergie tout en maintenant un affaiblissement d’insertion faible pour une intégrité de signal optimale. Avec une isolation port à port élevée allant jusqu’à 7,125 GHz, les dispositifs minimisent efficacement les interférences entre les canaux. Les commutateurs de croisement d’antenne d’Infineon Technologies disposent également d’un temps de commutation rapide maximum de seulement 2 µs, garantissant une réponse rapide et exploitation fiable dans des environnements de communication dynamiques.

BGSX22G5A10 DPDT Antenna Cross Switch

Infineon Technologies BGSX22G5A10 DPDT Antenna Cross Switch is designed for LTE and WCDMA triple antenna applications. This DPDT offers low insertion loss and low harmonic generation paired with high isolation between RF ports. The switch is controlled via a GPIO interface. The on-chip controller allows power-supply voltages from 1.65V to 3.4V. The switch features direct-connect-to-battery functionality and DC-free RF ports. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF Ports are only required if DC voltage is applied externally. The BGSX22G5A10 RF Switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS, including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 1.1x1.5mm² and a maximum thickness of 0.55mm.