MOSFET basse/moyenne tension T10

Les MOSFET basse/moyenne tension T10 d'onsemi sont desMOSFET de puissance monocanal N dans les catégories 40 V et 80 V avec des performances améliorées, une plus grande efficacité du système et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance présentent une faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité pour minimiser les pertes du pilote. Les MOSFET basse/moyenne tension T10 offrent un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS et sont sans Pb et sans halogène/sans BFR. Les applications typiques incluent le redressement synchrone (SR) dans les convertisseurs CC-CC et CA-CC, le commutateur principal dans un convertisseur CC-CC isolé, la protection de batterie et les entraînements à moteur.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, T10M, DFN5, 5x6, SO-8FL, 40 V, 1.8 mohm, 151 A40 V, 1.65 m, 154 A
Fiche technique
772En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, Logic Level, u8FL, 80V, 5.3mohm, 79 A
Fiche technique
888En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WSFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.1 m, 299 A
Fiche technique
2.00027/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT H-PSOF-8L N-Channel 1 Channel 80 V 299 A 1.1 mOhms 20 V 3.6 V 120 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, T10M, DFN5, STD Gate, SO-8FL 40 V, 4.0 mohm, 77 A
Fiche technique
1.50017/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.9 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO-8FL, 80 V, 4.5 mohm, 94 A
Fiche technique
1.50024/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 4.5 mOhms 20 V 3.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO8FL, 80 V, 6.2 mohm, 73 A
Fiche technique
1.50017/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 73 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape