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NVH4L060N065SC1

Name: onsemi NVH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L060N065SC1
Price: 12.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVH4L060N065SC1

N° de fab. :

NVH4L060N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

Fiche technique:

NVH4L060N065SC1 Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	12,62 €	12,62 €
	10,10 €	101,00 €
	8,20 €	984,00 €
	8,16 €	4.161,60 €
	8,13 €	8.292,60 €
2.520	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	47 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	74 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	176 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Série:	NVH4L060N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NVH4L060N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L060N065SC1

Les MOSFET onsemi NVH4L060N065SC1 au carbure de silicium (SiC) fournissent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium simple. Le MOSFET onsemi NVH4L060N065SC1 présente une basse résistance à l'état passant (ON) et sa taille compacte de puce garantit de basses capacité et charge de grille. Les systèmes présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.