MOSFET de puissance OptiMOS™ 5

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
2.255En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 80 V 408 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 223 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
3.346En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4.462En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Fiche technique
66.283En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4.862En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
Fiche technique
5.069En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
4.002En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
4.390En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1.478En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
Fiche technique
3.722En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 960 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 92 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4.073En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
Fiche technique
2.432En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
5.096En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
3.266En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
477En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 290 A 1.9 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Fiche technique
2.990En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
Fiche technique
2.279En stock
5.00016/04/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
Fiche technique
3.755En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
2.560En stock
3.60023/04/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
4.082En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
Fiche technique
4.552En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 789 A 290 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 88 nC - 55 C + 150 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
Fiche technique
5.275En stock
5.00029/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 700 A 350 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
Fiche technique
2.437En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
1.667En stock
5.00008/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 275 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.45 V 90 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
3.070En stock
5.00014/05/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel