MOSFET à tranchée et canal N 2N7002AK

Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small surface-mounted (SMD) plastic packages using Trench MOSFET technology. These AEC-Q101-qualified devices offer logic-level compatibility in a wide -55°C to +175°C junction temperature range. Applications for Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs include relay and high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .22A 4.845En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6 2.954En stock
5.00020/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A 5.365En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .24A
23.28820/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
9.39701/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape