MOSFET à petit signal BSS670

Le MOSFET à petit signal BSS670 de ROHM Semiconductor est un MOSFET à petit signal, 60 V et 650 mA à canal N conçu pour une commutation à haut débit. Le BSS670 dispose d'un pilote ultra-faible de 2,5 V et d'une protection ESD jusqu'à 2 kV (HBM). Le MOSFET BSS670 de ROHM est idéal pour les circuits de commutation, les commutateurs de charge côté bas et les pilotes de relais.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET SOT23 N-CH 60V .65A
Fiche technique
2.509En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V 650mA, SOT-23, Small Signal MOSFET
Fiche technique
4.541En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel