MMBFx N Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated MMBFx N-channel Enhance mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The MMBFx MOSFETs provide low gate threshold voltage, input capacitance, and input/output leakage. These MOSFETs from Diodes Incorporated are ideal for high-efficiency power management applications including power management functions and analog switches.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
Fiche technique
8.265En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 70 V 500 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
Fiche technique
7.153En stock
24.000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel