TSM600NA25CIT C0G

Taiwan Semiconductor
821-TSM600NA25CITC0G
TSM600NA25CIT C0G

Fab. :

Description :
MOSFET 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFET

Cycle de vie:
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2,60 € 26,00 €
1,86 € 186,00 €
1,78 € 890,00 €

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Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
250 V
22 A
60 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
71 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
Tube
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 25 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 16 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 78 ns
Délai d'activation standard: 16 ns
Raccourcis pour l'article N°: TSM600NA25CIT
Poids de l''unité: 1,584 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.