U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
279.475Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 390 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 1.6 nC + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
49.79010/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET
110.00017/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 10.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
26.93814/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
30.00016/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package
3.21107/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 22.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2.00016/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.7 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 242 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel

Toshiba MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 5 A 66 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel