MOSFET à usage général

Les MOSFET à usage général d'Infineon Technologies offrent des solutions simples et à prix compétitif pour une gamme étendue de produits et une qualité reconnue. Cette famille de composants couvre les classes de tension jusqu'à 100 V. Elle comprend des MOSFET à canal N simples et doubles ainsi que des produits pour un traitement de puissance plus petit (MOSFET à canal N et P simple et double). Les composants sélectionnés sont disponibles dans de nombreux boîtiers, notamment SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6 et TO220.Ces produits conviennent à une large gamme d'applications universelles telles que les adaptateurs, les chargeurs, les applications alimentées par batterie, les commandes et entraînements de moteur, les systèmes de gestion de batterie, les onduleurs, et les applications informatiques et mobiles.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
2.038En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1.957En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1.856En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
2.175En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
3.486En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
1.077En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
8.709En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
4.900En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
819En stock
1.00009/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1.368En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
1.154En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
1.987En stock
2.00031/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
544En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
1.275En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
931En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
59En stock
8.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
851En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
2.00025/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
4.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube