X2-Class IXYS MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Fiche technique
185En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Fiche technique
238En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Fiche technique
41En stock
25023/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Fiche technique
42En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
Fiche technique
95En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
Fiche technique
208En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Fiche technique
140Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Fiche technique
1.470Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Fiche technique
950Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 300
Mult. : 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-268HV
Fiche technique
780Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 300
Mult. : 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Fiche technique
850Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Fiche technique
1.550Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-247
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Tube
IXYS MOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Tube
IXYS MOSFET DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Fiche technique
Non stocké
Min. : 300
Mult. : 30

Si Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTY4N65X2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 41 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 41 Semaines
Min. : 350
Mult. : 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-263
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 41 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube