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STDRIVEG211QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211QTR
Price: 3.46 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STDRIVEG211QTR

N° de fab. :

STDRIVEG211QTR

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Commandes de grilles High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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Fiche technique:

STDRIVEG211QTR Fiche technique (PDF)

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,46 €	3,46 €
	2,29 €	22,90 €
	2,08 €	52,00 €
	1,77 €	177,00 €
	1,68 €	420,00 €
	1,51 €	755,00 €
	1,41 €	1.410,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,20 €	3.600,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	Gate Drivers
Type:	Half-Bridge
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-18
Nombre de pilotes:	2 Driver
Nombre de sorties:	2 Output
Tension d’alimentation - Min.:	10.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	18 V
Configuration:	Inverting, Non-Inverting
Temps de montée:	22 ns
Temps de descente:	11 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	Gate Drivers
Temps de propagation maximal:	45 ns
Rds On - Résistance drain-source:	7 Ohms
Arrêt:	Shutdown
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Fiche technique

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Pilote de grille à demi-pont STDRIVEG600

Le pilote de grille à demi-pont STDRIVEG600 de STMicroelectronics est un pilote de grille à demi-pont à puce unique pour les eHEMT (transistors à haute mobilité d’électrons à mode amélioré) au GaN (nitrure de Gallium) ou les MOSFET de puissance à canal N. Le côté haut du STDRIVEG600 est conçu pour supporter des tensions jusqu’à 600 V et est adapté aux conceptions avec une tension de bus pouvant atteindre 500 V. Ce composant est idéal pour piloter des FET GaN et silicium haut débit en raison de sa capacité de courant élevé, de son délai de propagation court et de son fonctionnement avec une tension d’alimentation pouvant descendre à 5 V.

Commandes de grilles demi-pont STDRIVEG211

Les commandes de grilles demi-pont STDRIVEG211 deSTMicroelectronics sont conçues pour le GaN à mode d'enrichissement à canal N, et la section de commande côté haut peut supporter un rail de tension allant jusqu'à 220 V. Ces commandes offrent une capacité de courant élevé, un faible retard de propagation avec une excellente adaptation du retard et des LDO intégrés. Cela les rend optimisées pour la commande de GaN à haute vitesse. Les commandes de grilles demi-pont STDRIVEG211 disposent d'UVLO d'alimentation adaptés aux applications à commutation dure, d'un verrouillage pour éviter les conditions de conduction croisée et d'un comparateur de surintensité avec SmartSD. Ces commandes offrent une plage étendue pour les broches d'entrée qui permet une interface facile avec les contrôleurs. Une broche de mode veille permet de réduire la consommation d'énergie pendant les périodes d'inactivité ou en mode rafale. Les applications incluent les micro-convertisseurs solaires, les amplificateurs audio de classe D, les vélos électriques, l'éclairage LED, l'USB-C, les outils électriques et la robotique.