Onduleurs triphasés en pont IGBT SLLIMM-Nano

Les onduleurs triphasés en pont IGBT SLLIMM-Nano de STMicroelectronics sont caractérises par un entraînement moteur c.a. compact et haute performance dans un modèle robuste et simple. Les onduleurs en pont sont composés de six IGBT avec des diodes de récupération et de trois HVIC en demi pont pour le pilotage de grille. Les composants génèrent des interférences électromagnétiques réduites, avec une vitesse de commutation optimisée.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Fiche technique
219En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.7 V 5 A 13.6 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 2.15 V 3 A 12 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 360
Mult. : 360

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 3 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A N2DIP-26 + 175 C Tube