Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

STL33N60DM6

Name: STMicroelectronics STL33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL33N60DM6
Price: 1.29 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STL33N60DM6

N° de fab. :

STL33N60DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

Complétez votre conception

Fiche technique:

STL33N60DM6 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STL33N60DM6

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 3000 Multiples : 3000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,29 €	3.870,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	21 A
Rds On - Résistance drain-source:	140 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.25 V
Qg - Charge de grille:	35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	35 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	STL33N60DM2
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	7 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STL33N60DM6 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2

Les MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2 STMicroelectronics sont produits grâce à une nouvelle génération de technologie MDmesh™ : MDmesh II Plus™ à faible Q_g. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à un tracé en bande pour atteindre un faible niveau de résistance en fonctionnement et de charge de grille. Ils conviennent aux convertisseurs exigeant un haut rendement et sont idéaux pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
En savoir plus