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NSVMUN2132T1G

Name: onsemi NSVMUN2132T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN2132T1G
Price: 0.18 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NSVMUN2132T1G

N° de fab. :

NSVMUN2132T1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors numériques SS SC59 BR XSTR PNP 50V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NSVMUN2132T1G Fiche technique

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	0,13 €	1,30 €
	0,083 €	8,30 €
	0,052 €	26,00 €
	0,043 €	43,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,037 €	111,00 €
	0,032 €	192,00 €
	0,028 €	252,00 €
	0,022 €	528,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors numériques
RoHS:
Configuration:	Single
Polarité du transistor:	PNP
Résistance d'entrée type:	4.7 kOhms
Taux de résistance type:	1.0
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-59
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	15
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 VDC
Courant de collecteur continu :	100 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	338 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MUN2132
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Mode canal:	Enhancement
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant CC max. du collecteur:	100 mA
Plage de températures de fonctionnement:	- 55 C to + 150 C
Tension de sortie:	4.9 V
Type de produit:	Digital Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NSVMUN2132T1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Transistors numériques bipolaires NPN

Les transistors numériques bipolaires NPN Onsemi sont des réseaux monolithiques de polarisation de résistance conçus pour remplacer un seul composant et son réseau de polarisation de résistance externe. Ces transistors de résistance de polarisation (BRT) sont composés de deux résistances : une résistance de base en série (22k Ω) et une résistance d'émetteur de base (47k Ω). Le BRT élimine les composants individuels et les intègre dans un seul composant. Ce BRT est qualifié AEC-Q101 et PHPP. La BRT est sans plomb et sans halogène/BFR et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent la protection inversée de la batterie, le pilote de sortie des convertisseurs CC-CC, et la commutation à grande vitesse.