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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
IXYS MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds 447En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds 394En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET 18En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Polar Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds 1.202En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds 683En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds 834En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 P-Channel 1 Channel 600 V 32 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 196 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
1.850Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds Délai de livraison 39 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube