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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 157.148En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg 124.585En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 116 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
173.150Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.6 A 78 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel