MOSFET au carbure de silicium (SiC)

Les MOSFET  au carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology offrent des performances dynamiques et thermiques supérieures à celles des MOSFET de puissance au silicium (Si) conventionnels.  Ces MOSFET ont de faibles capacités, une faible charge de grille, une vitesse de commutation rapide et une bonne robustesse en avalanche. Les MOSFET SiC peuvent stabiliser le fonctionnement à une température de jonction élevée de 175 °C. Ces MOSFET offrent un haut rendement avec de faibles pertes de commutation. Les MOSFET SiC ne nécessitent pas de diodes de roue libre. Les applications standard incluent la transmission et la distribution de réseaux intelligents, le chauffage et la soudure par induction, ainsi que l’alimentation et la distribution.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Conditionnement
Microchip Technology Modules MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
Fiche technique
33En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 100 mOhms - 10 V, + 25 V - 55 C + 175 C 200 W Tube
Microchip Technology Modules MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
Fiche technique
79En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 84 A 31 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V - 55 C + 175 C 321 W Tube
Microchip Technology Modules MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
Fiche technique
6016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V - 55 C + 175 C 208 W Tube