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WST4500D-GP4

Name: MACOM WST4500D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4500D-GP4
Price: 261.77 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

937-WST4500D-GP4

N° de fab. :

WST4500D-GP4

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

WST4500D-GP4 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
Style de montage:	SMD/SMT
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	84 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 2 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Gain:	20 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	DC
Alimentation en sortie:	125.89 W
Produit:	GaN FETs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN, SiC
Type:	GaN on SiC Transistor

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Fiche technique

WST4500D-GP4 Fiche technique (PDF)

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USHTS:: 8541290040
ECCN:: 3A001.b.3.b.1

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.