ZXMHC3F381N8TC

Diodes Incorporated
522-ZXMHC3F381N8TC
ZXMHC3F381N8TC

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 5.235

Stock:
5.235 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
40 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,50 € 1,50 €
0,955 € 9,55 €
0,633 € 63,30 €
0,498 € 249,00 €
0,455 € 455,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,407 € 1.017,50 €
0,387 € 1.935,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Diodes Incorporated
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
30 V
4.13 A, 4.98 A
33 mOhms, 55 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
9 nC, 12.7 nC
- 55 C
+ 150 C
870 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Configuration: Quad
Temps de descente: 6.3 ns, 21 ns
Transconductance directe - min.: 11.8 S, 14 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 3.3 ns, 3 ns
Série: ZXMHC3
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel, 2 P-Channel
Délai de désactivation type: 11.5 ns, 30 ns
Délai d'activation standard: 2.5 ns, 1.9 ns
Poids de l''unité: 750 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

ZXMH MOSFET H-Bridges

Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges feature low on-resistance achievable with low gate drive. Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges provide 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package and low voltage (Vgs = 4.5V) gate drive. Diodes Inc ZXMH MOSFET H-Bridge devices are ideal for DC motor control and DC-AC inverter applications.