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ZXMHC3A01N8TC

Name: Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-ZXMHC3A01N8TC
Price: 1.24 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

522-ZXMHC3A01N8TC

N° de fab. :

ZXMHC3A01N8TC

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

Fiche technique:

ZXMHC3A01N8TC Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,24 €	1,24 €
	0,704 €	7,04 €
	0,519 €	51,90 €
	0,448 €	224,00 €
	0,42 €	420,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,387 €	967,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	2.06 A, 2.72 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms, 330 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V, 3 V
Qg - Charge de grille:	3.9 nC, 5.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	10.9 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Quad
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	2.9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.3 ns
Série:	ZXMHC3
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel, 2 P-Channel
Poids de l''unité:	750 mg

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Fiche technique

ZXMHC3A01N8TC Fiche technique (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

ZXMH MOSFET H-Bridges

Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges feature low on-resistance achievable with low gate drive. Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges provide 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package and low voltage (V_gs = 4.5V) gate drive. Diodes Inc ZXMH MOSFET H-Bridge devices are ideal for DC motor control and DC-AC inverter applications.