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WST4050D-GP4

Name: MACOM WST4050D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4050D-GP4
Price: 35.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

937-WST4050D-GP4

N° de fab. :

WST4050D-GP4

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

WST4050D-GP4 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	84 V
Id - Courant continu de fuite:	750 mA
Rds On - Résistance drain-source:	740 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 2 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Gain:	17 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	8 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	DC
Alimentation en sortie:	15.85 W
Produit:	GaN FETs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN, SiC
Type:	GaN on SiC Transistor

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.