WNSC5D16650CJ6Q

WeEn Semiconductors
771-WNSC5D16650CJ6Q
WNSC5D16650CJ6Q

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC WNSC5D16650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 960   Multiples : 480
Prix unitaire:
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Tarif est.:
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Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
0,789 € 757,44 €
0,749 € 2.157,12 €
0,725 € 3.828,00 €

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WeEn Semiconductors
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
TO3PF-3
Common Cathode
16 A
650 V
1.45 V
40 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: WeEn Semiconductors
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 480
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 650 V
Raccourcis pour l'article N°: 934072973127
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

WNSC2D16650CJ & WNSC2D20650CJ SiC Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are 650V devices optimized for high-frequency switched-mode power supplies. SiC devices provide many advantages over silicon, including no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. These features result in higher efficiency, faster-operating frequency, higher power density, lower EMI, and reduced system size and cost.  These diodes feature extremely fast reverse recovery time, reduced losses in associated MOSFET, and low cooling requirements.