Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

VS-4C20ET07S2L-M3

Name: Vishay VS-4C20ET07S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C20ET07S2L-M3
Price: 4.82 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-VS-4C20ET07S2L-M3

N° de fab. :

VS-4C20ET07S2L-M3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

VS-4C20ET07S2L-M3 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Vishay Semiconductors VS-4C20ET07S2L-M3

Disponibilité

Stock:: 0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 800

16/03/2026 attendu
Délai usine :: 12

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,82 €	4,82 €
	3,15 €	31,50 €
	2,47 €	247,00 €
	2,06 €	1.030,00 €
	1,91 €	1.528,00 €
	1,79 €	4.296,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263AB-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.33 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	125 A
Ir - Courant inverse:	110 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	VS-4C20ET07S2L-M3
Marque:	Vishay Semiconductors
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	HK
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

VS-4C20ET07S2L-M3 Fiche technique (PDF)

Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

Les diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium (SiC) de Vishay semiconducteurs sont des redresseurs avancés haute performance conçus pour offrir une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications d'électronique de puissance exigeantes. Conçues à partir de la technologie SiC à large bande interdite, ces diodes Vishay offrent une charge de récupération inverse pratiquement nulle, une capacité de commutation extrêmement rapide et une performance qui ne varie pas en fonction de la température., ce qui rend ces dispositifs idéaux pour les systèmes de conversion de puissance haute fréquence de nouvelle génération.