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VS-4C15ET12S2L-M3

Name: Vishay VS-4C15ET12S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C15ET12S2L-M3
Price: 5.88 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

78-VS-4C15ET12S2L-M3

N° de fab. :

VS-4C15ET12S2L-M3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

VS-4C15ET12S2L-M3 Fiche technique (PDF)

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	3,91 €	39,10 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263AB-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	15 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.36 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	75 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	VS-4C15ET12S2L-M3
Marque:	Vishay Semiconductors
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	HK
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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