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UT6K3TCR1

Name: ROHM Semiconductor UT6K3TCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6K3TCR1
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-UT6K3TCR1

N° de fab. :

UT6K3TCR1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET DFN2020 2NCH 30V 5.5A

Fiche technique:

UT6K3TCR1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,903 €	0,90 €
	0,691 €	6,91 €
	0,458 €	45,80 €
	0,36 €	180,00 €
	0,327 €	327,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,283 €	849,00 €
	0,264 €	1.584,00 €
	0,257 €	2.313,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-8D
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	5.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	42 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	4 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	5.1 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	7.2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	UT6K3

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Fiche technique

UT6K3TCR1 Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Japanese

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance UT6J à canal P

Les MOSFET de puissance UT6J à canal P de Semiconductor se caractérisent par une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un boîtier de petite taille à haute puissance. Le ROHM offre une large gamme de tensions allant des produits à signal faible aux produits haute tension 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.