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UJ3N065080K3S

Name: onsemi UJ3N065080K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N065080K3S
Price: 9.72 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UJ3N065080K3S

N° de fab. :

UJ3N065080K3S

Fab. :

onsemi

Description :

JFET 650V/80MOSICJFETG3TO2

Fiche technique:

UJ3N065080K3S Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	32 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	UJ3N
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Nom commercial:	SiC JFET
Poids de l''unité:	15,489 g

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Fiche technique

UJ3N065080K3S Fiche technique

Models

SPICE Model/UJ3N065080K3S (Texte)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.