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UF3SC065030B7S

Name: onsemi UF3SC065030B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065030B7S
Price: 19.98 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

431-UF3SC065030B7S

N° de fab. :

UF3SC065030B7S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7

Fiche technique:

UF3SC065030B7S Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	62 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	214 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns, 9 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC FETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	26 ns, 28 ns
Série:	UF3SC
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type:	SiC FET
Délai de désactivation type:	46 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	4,675 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FET SiC hautes performances UF3SC en boîtier D2-PAK

Les SiC FET hautes performances UF3SC de Qorvo en boîtier D2-PAK-7L (boîtier Kelvin à 7 fils) sont basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse. La configuration de circuit comprend un JFET SiC normalement activé à boîtier commun avec le MOSFET Si pour produire un dispositif FET SiC normalement éteint. Les FET UF3SC disposent de caractéristiques de commande de grille standard qui permettent de « remplacer » véritablement les IGBT à Si, les FET Si, les MOSFET SiC et les dispositifs à super-jonction Si. “” Ces FET SiC haute performance fonctionnent à une température maximale de 175 °C, une faible charge de grille de 43 nC et une tension de seuil standard de 5 V. Parmi les applications standard, on retrouve les alimentations de serveurs et de télécommunications, les entraînements de moteurs, le chauffage par induction et les alimentations industrielles.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

FET SiC hautes performances 650 V et 1 200 V UF3SC

Les FET SiC hautes performances de 650 V et 1 200 V UF3SC de Qorvo sont des composants au carbure de silicium avec une R_DS(on) faible de 7 mΩ à 45 mΩ, conçus pour des vitesses de commutation élevées et des pertes de commutation réduites. Ces composants sont basés sur une configuration de circuit cascode unique et apportent une charge de grille ultra-faible. La configuration de cascode utilise un JFET SiC normalement activé co-emballé avec un MOSFET au silicium pour produire un composant FET SiC normalement désactivé. Les FET UF3SC présentent des caractéristiques de commande de grille standard qui en font des alternatives idéales aux IGBT Si, FET Si, MOSFET SiC ou dispositifs à super-jonction Si. Ces FET SiC comprennent une faible capacité intrinsèque et une excellente récupération inverse. Les FET UF3SC de Qorvo fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à +175 °C et sur une plage de tension grille-source de -20 V à +20 V. Ces FET SiC sont idéaux pour la charge des véhicules électriques (VE), les onduleurs photovoltaïques (PV), les entraînements de moteurs, les alimentations à découpage, les modules de correction du facteur de puissance (PFC) et le chauffage par induction. Les FET SiC UF3SC de Qorvo sont disponibles en boîtiers TO-247-3L et TO-247-4L pour une commutation plus rapide et des formes d’onde de grille propres.