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UF3C065030B3

Name: onsemi UF3C065030B3
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065030B3
Price: 20.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UF3C065030B3

N° de fab. :

UF3C065030B3

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

UF3C065030B3 Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	65 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 25 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	242 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	16 ns
Série:	UF3C
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	57 ns
Délai d'activation standard:	32 ns
Poids de l''unité:	3 g

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Fiche technique

UF3C065030B3 Fiche technique

Models

SPICE Model/UF3C065030B3 (Texte)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

FET SiC UF3C en boîtier D2-PAK

Les SiC FET UF3C de Qorvo en boîtiers D2-PAK-3L et D2-PAK-7L à montage en surface sont basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse. Dans la configuration de circuit cascode, un JFET SiC normalement activé est co-emballé avec un MOSFET Si pour produire un dispositif SiC FET normalement éteint. Ces FET SiC offrent une diode à faible corps, une faible charge de grille et une tension de seuil de 4,8 V qui permet de piloter de 0 V à 15 V. Ces composants SiC FET D2-PAK sont protégés contre les DES et fournissent une ligne de fuite du boîtier et une distance de dégagement de >6,1 mm. Les caractéristiques standard du pilote de grille du FET sont des remplacements directs pour les IGBT Si, le FET Si, les MOSFET SiC ou la super-jonction Si. Ils sont disponibles pour des variantes de tension de claquage drain-source de 1 200 V et 650 V et sont idéaux pour une utilisation pour les environnements contrôlés tels que l’alimentation des télécommunications et des serveurs, les alimentations industrielles, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.