TSM6502CR RLG

Taiwan Semiconductor
821-TSM6502CRRLG
TSM6502CR RLG

Fab. :

Description :
MOSFET 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 5.111

Stock:
5.111 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,35 € 1,35 €
0,851 € 8,51 €
0,568 € 56,80 €
0,448 € 224,00 €
0,408 € 408,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,366 € 915,00 €
0,337 € 1.685,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-56-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
60 V
5.4 A, 4 A
28 mOhms, 73 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
20.8 nC, 9.5 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Dual
Temps de descente: 18 ns, 44 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 25 ns, 28 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 18 ns, 44 ns
Délai d'activation standard: 7.4 ns, 4 ns
Raccourcis pour l'article N°: TSM6502CR
Poids de l''unité: 372,608 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and Rtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.