TSM2N7002AKDCU6 RFG

Taiwan Semiconductor
821-TSM2N7002KDCU6
TSM2N7002AKDCU6 RFG

Fab. :

Description :
MOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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En stock: 3.929

Stock:
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Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,353 € 0,35 €
0,261 € 2,61 €
0,148 € 14,80 €
0,10 € 50,00 €
0,076 € 76,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,066 € 198,00 €
0,052 € 312,00 €
0,048 € 432,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
220 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
+ 150 C
240 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Dual
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Temps de descente: 50 ns
Transconductance directe - min.: 0.5 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 10 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 20 ns
Délai d'activation standard: 4 ns
Raccourcis pour l'article N°: TSM2N7002AKDCU6
Poids de l''unité: 7,500 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.